Письмо ректору

Телефонный справочник

    Электронная     почта


штаб.jpg





ВСО.jpg
 1.png Министерство науки и высшего образования РФ
5-100.png Программа повышения конкурентоспособности
Противодействие коррупции
Наука и образование против террора
Диссертационные советы
Социальный навигатор
Оформление социальной студенческой карты
Study in Russia
NEVOD.png Уникальная научная установка НЕВОД
TEMP.png Турнир «ТеМП»
50x75.png Международная олимпиада для студентов
Олимпиада «Я - профи»




Институт функциональной ядерной электроники Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ" (ИФЯЭ НИЯУ МИФИ)

Руководитель подразделения (ФИО, степень, звание и должность).

Руководитель – Каргин Николай Иванович - доктор технических наук, профессор, первый заместитель директора ИФЯЭ.

Краткая характеристика подразделения.

Институт создан по решению Ученого совета Университета (пр. от 26.04.2010г. № 10/06).

Официальное наименование института: Институт функциональной ядерной электроники.

Полное наименование - Институт функциональной ядерной электроники Национального. исследовательского ядерного университета "Московского инженерно-физического института".

Сокращенное наименование - ИФЯЭ НИЯУ МИФИ.

Наименование на английском языке: Institute of Functional Nuclear Electronics NRNU MEPHI.

Сокращенное наименование на английском языке: IFNENRNUMEPHI.

Место расположения - корпус МИФИ №44а.

Код в информационной системе МИФИ - 401.

Место нахождения и почтовый адрес Института: 115409, г.Москва, Каширское ш., д. 31.

Институт функциональной ядерной электроники является учебно-научным структурным подразделением Университета, обеспечивающим проведение учебной, методической, научно-исследовательской, инновационной и воспитательной работы, а также подготовку научно-педагогических кадров и повышение их квалификации.

Основные направления научной деятельности

Основными направлениями научной деятельности Института являются: электронные процессы в сверхвысокочастотных (СВЧ) приборах на квантово-размерных гетероструктурах и разработка новых классов высокочастотных гетероструктурных приборов; технология и физика квантово-размерных гетероструктур; микро- и нанотехнология формирования коротко-канальных гетероструктурных СВЧ-приборов; расчет и моделирование гетероструктурных униполярных и биполярных СВЧ- приборов на частоты до 200-250ГГц и выше; разработка гетероструктурных монолитных сверхвысокочастотных интегральных схем (СВЧ ИС) и приборов для широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий связи, бортовых радаров, высокочувствительных радиометров и т.д.; исследование и разработка энергосберегающих приборов на основе широкозонных материалов.

Контактная информация (телефон, электронный адрес).

Контактная информация - Тел.: (495) 788-56-99, доб. 8146, NIKargin@mephi.ru